位于德国德累斯顿的无晶圆铁电存储（Ferro-Electric Memory）公司 FMC 已完成 1 亿欧元（1.162 亿美元）C 轮融资，希望借此将其 FERAM 芯片技术带入 AI 数据中心，取代 DRAM 和 SRAM，并在存储级内存（SCM）这一领域取得成功 —— 而此前英特尔的 Optane 在该领域失败了。
在这笔 1 亿欧元融资中，7700 万欧元来自超额认购的 C 轮股权融资，由重要的现有与新投资者支持，这也是半导体行业顶级规模的同类融资之一。剩余 2300 万欧元来自公共资金，包括 IPCEI ME/CT 项目与欧洲创新委员会（EIC）资金。
“我们正在研发新一代存储芯片与系统解决方案，它们不仅更加可持续、更节能，而且比当前行业标准更快、更便宜。过去，带宽一直是 AI 计算的主导指标，但如今，能效正在成为下一代 AI 的重要的条件。”
我们本以为 FERAM 技术会像 Optane 一样陷入困境：技术有前景，但缺乏进入高产量制造的可行路径，也就无法降到足够低的成本，难以实现市场普及并形成盈利。
然而，FMC 似乎正在试图穿越这道“技术 + 市场”障碍，而关键点在于：AI 大规模数据中心中的 GPU 服务器正面临内存耗电量暴涨的问题。
“内存芯片是 AI 技术栈的主要瓶颈。FMC 的 DRAM+ 和 3D CACHE+ 技术正面向这一痛点：比现有产品更快、更节能。这为扩大 AI 数据中心与 AI 边缘应用奠定基础。获得如此规模的股权融资，证明了我们技术的重要性，我们也感谢顶尖深科技投资的人对我们愿景的信任。”
FMC 拥有两类产品：DRAM+旨在取代 DRAM，提供非易失性（降低耗电）、内存即存储的能力，并具备更高耐久度。CACHE+旨在取代 SRAM，提供10 倍 SRAM 密度和10 倍待机功耗降低，同样为非易失性。
两者均利用标准 CMOS 工艺制造，通过将晶体管和电容转换为 FeFET（铁电场效应晶体管） 与 FeCAP（铁电电容） 来实现，并使用现有的半导体制造设备。这当然是一个优势，但据我们理解，制造可行性不是最严重的问题 —— 产业链上游的接纳度才是那头“房间里的大象”。
我们能想象 DRAM+ 在概念上替代 DRAM，但成本可行性将要求一家 x86 服务器厂商做出巨大赌注，把它集成进服务器。同时，操作系统供应商必须重写内存管理代码。而系统应用也要修改代码，因为 DRAM+ 同时是内存与存储，不再需要将数据持久化到存储设备。
如果谈到 GPU 服务器及其 HBM，那么一家 HBM 制造商也必须下注，用 DRAM+ 堆叠替换现有的 DRAM 堆叠。这并非全无可能，因为 HBM 供应商 SK hynix 是 FMC 的投资者之一。但故事还没完，GPU 供应商也得重写其操作系统中的内存处理部分。
如果英伟达决定采用此路线，那么事情即可一举成功。英伟达足够强大，可以推动整个市场转向。
但若英伟达不这么看，FMC 就必须说服 AMD，但 AMD 在出货量上的推动力要小得多。
我们认为，要让 FMC 取代 x86 服务器 DRAM 更难，因为耗电问题对服务器厂商本身影响不大，而且 AI 数据中心里 GPU 的数量已超越 x86 CPU。此外，没有一点一家服务器厂商拥有如 Nvidia 般的市场推动力。
FMC 称，这笔新融资将加速 DRAM+ 和 3D CACHE+ 芯片及系统解决方案的商业化，并拓展其全球业务。公司声称其技术凭借卓越的能效，将助力全球 AI 数据中心与 AI 边缘应用的扩张，在 超过 1000 亿欧元规模的存储芯片市场树立新的行业标准。
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